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柔性塑料电子电路再获重大突破性技术进展

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-08-30  浏览次数:2357
核心提示:  根据宾夕法尼亚大学的研究者研究表明,半导体材料硒化镉能够覆盖在柔性塑料纳米粒子的表面上,这将预示着一项重大的突破性电子技术进展——在柔性衬底上能注入高性能电子。
   根据宾夕法尼亚大学的研究者研究表明,半导体材料硒化镉能够覆盖在柔性塑料纳米粒子的表面上,这将预示着一项重大的突破性电子技术进展——在柔性衬底上能注入高性能电子。
 
  该研发团队是由宾夕法尼亚材料科学工程系一名博士生David Kim领衔研发,他们在一个墨汁一样的液体中,旋转地将纳米级的硒化镉涂布分散在一个柔性塑料薄膜上。该项突破性进展目前已经被刊登在《自然通讯》杂志中。
 
  除了具有高速这一特点外,硒化镉还具有优于非晶硅的温度特性。非晶硅通常要在几百度高温下进行工作,硒化镉纳米粒子只需在室温或常温下便可正常工作,这将为未来大规模使用柔性塑料电子电路打下坚实基础。
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柔性电子样品的最终制造是在宾夕法尼亚大学的切丽·卡根教授实验室完成
图片材料提供: David Kim/Yuming Lai, Penn
 
  使用该工艺,研究者建立了三种应用电路模型用来测试该纳米晶体的性能,该模型分别是:逆变器、放大器、环形振荡器。
 
  “该项研究还打破了应用各种纳米晶体的限制顾虑,正如我们展示的,今后在材料方面不会有任何限制,”David Kim表示。
 
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