我国新型传感器的研发趋向走向
我国传感器产品品种和质量水平，尚骑虎难下满足国内市场的需求，总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。存在的主角问题有：
（1）科技创新差，中心制造技术严重滞后于国外，拥有自主知识产权的产品少，品种不全，产品技术水平与国外相差15年左右。
（2）投资强度偏低，科研设施和生产工艺配备落伍，成果水平低，产品质量差。
（3）科技与生产脱节，影响科研成果的转化，综合实力较低，产业发展后劲十全十美。
近几年，我国传感器有了飞速的发展，如今钻研的新型传感器，大致应包括：采用新原理、填补传感器空白、仿生传感器等诸方面。它们之间是相互联系的。传感器的工作机理是基于各种效应和定律，由此启示人们进青云摸索具备新效应的敏感性能材料 ，并以此研制出具备新原理的新型物性型传感器件，这是发展高性能、多性能、低成本和小型化传感器的重要途径。结构型传感器发展得较早，眼前日趋成熟。
智能化新型传感器
传感器与微解决机相结合，使之不只具备检测性能，还具备信息解决、逻辑判别、自诊断、以及“思维”等人造智能，就称之为传感器的智能化。借助于半导体 集成化技术把传感器部分与信号预解决电路、输入输出接口、微解决器等制作在同一块芯片 上，即成为大规模集成智能传感器。能够说智能传感器是传感器技术与大规模集成电路 技术相结合的产物，它的实现将取决于传感技术与半导体集成化工艺水平的提升与发展。这类传感用具备多能、高性能、体积小、适合大批量生产和运用方便等长处，能够肯定地说，是传感器重要的方向之一。
多性能化新型传感器
传感器的多性能化也是其发展方向之一。所谓多性能化的典型实例，美国某大学传感器钻研发展中心研制的单片硅多维力传感器能够同时丈量3个线速度、3个离心加速度(角速度)和3个角加速度。主角元件是由4个正确设计安装在一个基板上的悬臂梁组成的单片硅结构，9个正确布置在各个悬臂梁上的压阻敏感元件。多性能化不仅能够降低生产成本，减小体积，而且能够有效的提高传感器的稳定性、可靠性等性能指标。
集成化新型传感器
传感器集成化包括两种定义，无所适从同一性能的多元件并列化，行将同一类型的单个传感元件用集成工艺在同一平面上排列起来，排成1维的为线性传感器，CCD图象传感器就属于这种状况。集成化的另一个定义是多性能天衣无缝化，即将传感器与放大、运算以及温度弥补等环节一体化，组装成一个器件。
结构型传感器，一般说它的结构复杂，体积偏大，价格偏高。物性型传感器大致与之相反，具备不少诱人的优点，加之过去发展也不够。世界各国都在物性型传感器方面投入斤斤计较人力、物力增强钻研，从而使它成为一个值得注意的发展动向。其中利用量子力学诸效应研制的低灵活阈传感器，用来检测幽微的信号，是发展新动向之一。
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