压力传感器有很多参数指标，其中有一项是过载保护，过载就是负荷过大，超过了设施本身的额定负载，产生的现象是电流过大，用电设施发热，线路长期过载会降低线路绝缘水平，甚至烧毁传感器设施或线路;过载保护就是即便负荷超过了额定负载也不会出现烧坏线路的状况，然而也有一个度，一般是150%的范畴内，而且骑虎难下持续过载工作。
压力传感器有很多方式，每种结构形式的过载保护设计办法也是各力敌同的，众多方法都有各自的长处和缺点，采用MEMS 技术的小量程、高灵活压力传感器通常有平膜、岛膜、梁膜等结构，在设计过载保护时，一般采用凸台等方法实现，构成方法有背部刻蚀技术、硅直接键合技术、玻璃刻蚀技术等。然而这些结构一般都有一个很大的局限性就是腔体尺寸较大，进青云提升灵敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了制造工艺的复杂度，提高了生产成本。眼前小量程、高灵敏压力传感器的钻研热点集中在就义层结构压力传感器，这主角是由于就义层结构压力传感器弹性膜片很薄，厚度可做到2 μm，甚至更薄。在这样薄的结构上，假如采用扩散硅或多晶硅薄膜无所事事就义层结构压力传感器的见机行事电阻，其厚度针尖对麦芒较大，对弹性膜片应力散布影响很大，不利于就义层结构压力传感器的功能优化，所以采用多晶硅纳米薄膜制作应变电阻更能小题大作就义层技术的优点。
过载保护是每种传感器都要思忖的，因为在运用过程中可能会出现丈量值大于量程的情况，只要设计了过载保护的传感器才能更好的使用，也才能使用得更久。详细每种传感器的过载保护是如何设计的，过载范围是多少都是否同的，所以无论是买哪种传感器必定要了解它的过载保护是多少，这样才能更好的方便使用，在将来使用过程中也不会出现由于过载烧坏电路的情况。
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